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陈 琳; 孙清清; 刘 晗; 徐 岩; 王鹏飞; 张 卫;
中国电子学会;
铪铝氧介质薄膜; 高k栅介质; 原子层淀积; 等效电学厚度; 频率耗散特性; 寄生电阻; 金属氧化物半导体;
机译:审查 - 调查和审查原子层的热,机械,电气,光学和结构性能,高k电介质:氧化铍,氧化铝,氧化铪和氮化铝
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:通过原子层沉积和氧控制帽沉积后退火制备的高k(k = 40)HfO_2栅堆叠的极度尺度化(〜0.2 nm)等效氧化物厚度
机译:原子层沉积生长Al掺杂TiO2高k栅介质的结构和电学特性
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:原子层沉积在InP上生长的HfAlO栅介质的能带偏移和界面性质
机译:远程等离子体增强原子层沉积氧化铪栅电介质的特性使用氧等离子体沉积
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能
机译:利用原子层沉积形成高电介质层的方法和制造具有高电介质层的电容器的方法,以通过减少高电介质层中的缺陷来改善漏电流特性
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:用原子层沉积沉积铪铝氧化物涂层
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