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670nm LED材料的MOCVD外延生长

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介绍了670 nmLED材料的结构与制备方法，重点论述了量子阱室温光荧光谱线宽的分析，指出线宽减小是应变量子阱轻重空穴谱线分离的结果，而不是由于量子阱界面质量改进的结果。同时介绍了DEz n的掺杂技术和掺杂结果，获得了较高的空穴密度。器件结果表明，可以用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂制作出符合产品要求的670 nmLED外延材料。

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来源
《第十一届全国LED产业与技术研讨会》|2008年|61-64|共4页
会议地点江苏镇江
作者

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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

中国照明协会;

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正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.4;
关键词
NIOCVD外延; 压应变量子阱; 光荧光; 界面; DEZn掺杂;

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