670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长

刘英斌; 林琳; 陈宏泰; 袁凤坡; 李云

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670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长

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重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进。同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,p型AlInP材料获得了0.9×1018/cm3的空穴密度。外延材料制作成200μm×200μm尺寸的LED管芯,在20mA工作电流下亮度为22～24mcd。器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670nm LED外延材料。

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来源
《微纳电子技术》 |2010年第2期|85-88|共4页
作者
刘英斌; 林琳; 陈宏泰; 袁凤坡; 李云;
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作者单位

中国电子科技集团总公司第十三研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
AlGaInP; 发光二极管; 压应变; 多量子阱; 光荧光; 界面粗糙度;

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