高温MOCVD外延生长AlN材料研究

程文进; 巩小亮; 陈峰武; 彭立波; 魏唯

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高温MOCVD外延生长AlN材料研究

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采用自主研制的量产型高温MOCVD设备进行AlN的外延生长,重点研究高温生长对于Al N质量的提升,以及Al N生长速率的控制规律。结果表明:生长温度的提高对于Al N晶体质量的提升和表面粗糙度的减小有着重要影响,而Al N的生长速率受到温度、反应室压力和载气比例的综合影响;经过工艺优化后的Al N外延材料(002)面和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别达到80 arcsec和775 arcsec,表明高温MOCVD生长技术可以实现量产化高质量AlN外延材料的制备。

著录项

来源
《电子工业专用设备》 |2017年第4期|43-49|共7页
作者
程文进; 巩小亮; 陈峰武; 彭立波; 魏唯;
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作者单位

中国电子科技集团公司第四十八研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
AlN; 高温MOCVD; 晶体质量; 生长速率;

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