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葛阳; 许盛之; 张力; 孙顶; 贺瑞霞; 陈泽; 王宁; 魏长春; 赵颖; 张晓丹;
中国可再生能源学会;
中国光伏行业协会;
国家可再生能源中心;
太阳能电池; 铜铟镓硒薄膜材料; 三步共蒸发法; 结构表征; 电学性能; 铜含量;
机译:低温共蒸发法生长过程中由于钾的存在而导致Cu(In,Ga)Se2薄膜中形成缺陷
机译:用Cu(In,Ga)Se2四元靶溅射制备Cu(In,Ga)Se2薄膜
机译:混合溅射/蒸镀过程中的实时光发射光谱法现场监测Cu(In1-x,Gax)Se2的组成和目标中毒
机译:GA含量对Cu(In1-X,鲁克斯)SE2薄膜及其装置性能的微观结构性能的影响
机译:用于太阳能电池应用的(Ag,Cu)(Ag,Cu)(Ag)SE2半导体的单级共蒸发和表面表征
机译:纳秒和飞秒脉冲激光沉积法生长和表征Cu(InGa)Se2薄膜
机译:三步法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜的深缺陷水平研究
机译:氧气中热共蒸发制备YBa2Cu3O7薄膜。
机译:Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层,Cu(InGa)(S,Se)2薄膜层,太阳能电池和形成Cu(Ga和/或In)Se2薄膜层的方法
机译:通过化学浴沉积法制备CU(IN,GA)SE2或CU(IN,GA)(S,SE)2薄膜太阳能电池及其制造的太阳能电池来制造INX(OOH,S)Y缓冲层
机译:制备从CU(inga)SE2和CU2ZNSNS4中选择的黄铜矿颗粒的工艺以及由此获得的颗粒状粉状成分
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