一步法电化学沉积Cu(In1-x,Gax)Se2薄膜的特性

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• 来源
  《物理化学学报》 |2008年第6期|1073-1079|共7页
• 作者

  敖建平; 孙国忠; 闫礼; 康峰; 杨亮; 何青; 周志强; 李凤岩; 孙云;

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• 作者单位

  南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津花板,300071;

  南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津花板,300071;

  南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津花板,300071;

  南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津花板,300071;

  南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津花板,300071;

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  南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津花板,300071;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 电化学、电解、磁化学;
• 关键词

  电沉积; Cu(In1-x,Gax)Se2薄膜; 循环伏安法; pH缓冲溶液;