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用于射频领域的MEMS无源LC滤波器设计研究

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本文介绍了一种利用MEMS工艺实现的用于射频领域的无源LC低通滤波器的设计、仿真和制作.该低通滤波器(LPF)采用三阶Chebyshev最少电容原型结构,设计参数为:一3dB带宽为3GHz,插入损耗小于2dB.基于MEMS无源元件(电容和电感)的集总物理模型,实现了对LPF实际性能的等效电路仿真,同时进行了版图和结构的验证.利用MEMS工艺实现的低通滤波器,其一3dB带宽和通带内插入损耗分别为2.925GHz和1.2dB(在1GHz下),制作工艺与标准CMOS工艺兼容.

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来源
《中国微米纳米技术第七届学术年会》|2005年|173-175|共3页
会议地点大连
作者
方杰; 刘泽文; 陈忠民; 刘理天; 李志坚;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN713.1;
关键词
无源滤波器; 射频; MEMS; 集总模型;

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