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LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

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利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响,发现O等离子体预处理法可获得高质量的单一氧极性ZnO薄膜.本文还讨论了生长温度在完全消除ZnO薄膜旋转畴中的作用.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|261-265|共5页
会议地点大连
作者
英敏菊; 杜小龙; 梅增霞; 曾兆权; 周忠堂; 郑浩; 袁洪涛; 周均铭; 贾金锋; 薛其坤;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
ZnO单晶薄膜; 旋转畴; 外延取向; 分子束外延生长;
入库时间 2022-08-17 11:03:25

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