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LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

     

摘要

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.

著录项

  • 来源
    《半导体学报:英文版》|2005年第z1期|82-86|共5页
  • 作者单位

    中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 北京工业大学,北京,100022;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
  • 关键词

    ZnO单晶薄膜; RF-MBE; LSAT(111); 旋转畴; 外延取向;

  • 入库时间 2022-08-20 23:45:28

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