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谢常青; 陈大鹏; 李兵; 孙加兴; 赵玲利; 胥兴才; 叶甜春;
中国电子学会;
X射线光刻; X射线掩模; 掩模形变; 深亚微米T型栅; 光刻技术; 半导体器件;
机译:深亚微米T型栅和原子层外延MgCaO作为栅介质的AlGaN / GaN / SiC MOSHEMT的DC和RF性能
机译:使用氢倍半硅氧烷和X射线光刻技术制作用于纳米压印,步进和闪光以及软光刻的母版
机译:通过使用极紫外光刻技术制作的具有150 nm线栅的微标签
机译:使用X射线光刻技术制作X射线光栅
机译:通过粒子光刻技术制作的蛋白质图案的制造和应用。
机译:电子束光刻技术制作的单模锥形垂直SU-8波导用于分析物传感
机译:飞秒激光光刻技术在正性光刻胶上制造亚微米T型栅
机译:使用阴影技术制作的X射线掩模在大约100 a线宽下进行X射线光刻
机译:形成t型栅电极的方法和使用该t型栅电极形成具有t型栅电极的MOS晶体管的方法
机译:通过光刻工艺形成精细t型栅的方法及牺牲介电膜
机译:在深亚微米CMOS技术中提高厚栅氧化物接地栅NMOSFET的ESD鲁棒性的注入方法
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