首页> 中文会议>全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 >GaN——第三代半导体的代表

GaN——第三代半导体的代表

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

GaN是第三代半导体的代表。该文叙述了GaN材料的优良特性，制造微波高温半导体器件的研究动态和应用前景，尤其是GzNLED和LD近几年令人瞩目的进展以及在大屏幕全色显示、交通信号灯、汽车尾灯、甚至固体照明灯以及高速超大容量CD-ROM信息存贮等方面应用的诱人前景。因此，GaN材料和器件既是科学家们的研究前沿，又是企业家们巨大市场竞争的焦点。

著录项

来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|12|共1页
会议地点宜昌
作者
梁春广;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
GaN; 半导体;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 以Gan、Sic和Zno为代表的第三代半导体材料 [J] . . 集成电路应用 . 2015,第10期
2. 第三代半导体之GaN [J] . 网易号 . 超硬材料工程 . 2021,第003期
3. 第三代半导体GaN材料发展状况简介 [J] . 李超 ,陈冲 ,李佳霖 . 经济技术协作信息 . 2021,第15期
4. 第三代半导体材料氮化镓(GaN)研究进展 [J] . 谢欣荣 . 广东化工 . 2020,第018期
5. 第三代半导体GaN材料特性对比 [J] . 刘悦 ,董政鑫 ,郭建达 . 经济技术协作信息 . 2020,第10期
6. 飞速发展的第三代GaN半导体 [C] . 毕克允 . 第五届全国分子束外延学术会议 . 1999
7. 稀磁半导体隧道结GaN:Mn/AIN/GaN:Mn电导的第一性原理研究 [A] . 陈广伟 . 2012

GaN——第三代半导体的代表

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅