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刘金平; 李建平;
中国电子学会;
Ge; SiGe合金; 退火行为;
机译:通过电子束蒸发原位形成GE富含GE的SIGE合金,并沉积退火对电能带隙的影响
机译:通过对具有不同Ge /(Si + Ge)组成的Ag / SiGe(111)进行退火,在外延Ag(111)上隔离SiGe超薄层的形成和表面平坦化
机译:在SiGe P沟道上的Nisige肖特基交界处微波退火
机译:通过UV熔体激光退火对高GE含量SiGe的Ga,IN和Al散,IN和Al在高Ge含量SiGe中的激活对凝固速度的影响
机译:合金成分对镍铬钼合金局部腐蚀行为的影响。
机译:SiGe P沟道NiSiGe肖特基结的微波退火
机译:双轴应变和成分对空位介导扩散的影响 随机二元合金:siGe系统的第一原理研究
机译:siGe / Gap合金的高温退火性能
机译:绝缘子基板材料上的SiGe,基本上可以简化生产该方法(由于在合金熔化点附近退火而产生的高质量SGOI)
机译:addier和subtrahiermaschine带有三组zaehlraedern,其中两组,即用于bruttobetraege和一组用于tarabetraege的顺序可调,而第三组用于netbetraege,他们对受影响的两组设置的态度
机译:基于SiGe或SiGeC的HBT与带SiGe或SiGeC的半导体器件的集成
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