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适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究

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为了基于Pspice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅(SiC)MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真,本文针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型(voltage-controlled current source type,VCCST)Pspice仿真模型.具体而言,为了获得SiC MOSFET准确的静态特性,本文建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核,以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性;为了获得SiC MOSFET准确的动态特性,本文建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CGD)子电路模型.本文提出的SiC MOSFET VCCST Pspice模型在简化参数提取方法的同时,能够满足模型准确性的要求.将建立的SiCMOSFET VCCST Pspice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验,并对SiC MOSFET的特性进行测试.测试结果验证了提出的SiC MOSFET VCCST Pspice仿真模型的准确性和实时性,从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利.

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来源
《中国电源学会第二十一届学术年会》|2015年|762-767|共6页
会议地点深圳
作者
Zhao Bo; 赵波; Zhou Zhe; 周哲; Xu Yanming; 徐艳明; Li Hong; 李虹; Trillion Q Zheng; 郑琼林;
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作者单位

中国电源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 U469.72:U463.6;
关键词
电动汽车; 直流/直流变换器; 金属-氧化物半导体场效应晶体管; 碳化硅; PSpice电路;

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