基于PSpice的SiC MOSFET的关键参数建模

彭咏龙; 李荣荣; 李亚斌

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分析研究了SiC金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)各参数与其动、静态特性的内在关系,提出了一种基于PSpice的SiC MOSFET建模新方法.通过引入电压控制电压源对栅极阈值电压进行补偿修正,采用两种不同的结电容模型描述各端电压不同而带来的结电容的变化,并同时增加了MOSFET的漏源电阻、栅极电阻随温度变化的变温度子模型.新模型可全面准确反映SiC MOSFET的动、静态特性,为SiC MOSFET的开关过程分析、损耗计算及主电路设计提供了重要依据.

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来源
《电力电子技术》 |2015年第4期|54-56|共3页
作者
彭咏龙; 李荣荣; 李亚斌;
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作者单位

华北电力大学,电气与电子工程学院,河北保定071003;

华北电力大学,电气与电子工程学院,河北保定071003;

华北电力大学,电气与电子工程学院,河北保定071003;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
金属氧化物半导体场效晶体管; 建模; 动、静态特性;

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