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新型高压AlGaN沟道器件研究新进展

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GaN高电子迁移率器件(GaN HEMTs)在微波射频和电力电子领域有着广阔的应用前景.为了追求更高的击穿特性,AlGaN沟道HEMTs器件正受到学术界的广泛关注.为了克服难以在衬底上直接外延出高质量AlGaN沟道材料的问题,本文提出采用GaN/AlGaN复合缓冲层的方法,使得器件的饱和电流从218提高到540mA/mm,开态电阻从31.2降低到8.1Ω·mm.此外,为了进一步抑制栅漏电并提高击穿特性,本文在国际上首次制备出AlGaN沟道MIS-HEMTs结构,成功实现了击穿电场高达1.8MV/cm(LGD=2μm),击穿电压高达1661V(LGD=20μm)的器件.

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|104|共1页
会议地点苏州
作者
张进成; 李祥东; 张苇杭; 江海清; 邹瑜; 郭振兴; 郝跃;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
高电子迁移率器件; 氮化铝镓; 复合缓冲层; 栅漏电; 击穿特性;

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