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胡安琪; 杨学林; 程建朋; 许福军; 唐宁; 王新强; 葛惟昆; 沈波;
中国电子学会;
高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 异质结构; 热电子; 俘获机制; 缺陷表征;
机译:Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
机译:温度依赖性阈值电压分析对AlGaN / GaN和AlGaN / InGaN / GaN异质结构中俘获电荷的影响
机译:低缺陷GaN衬底上MBE生长的晶格匹配的AlInN / GaN和应变AlGaN / GaN异质结构中的近红外吸收
机译:GaN衬底模板上GaN / AlGaN异质结构的生长和表征
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:AlGaN / GaN异质结构上的近表面处理:纳米级电学和结构表征
机译:在蓝宝石和6H-SIC基板上通过MOCVD生长的AlGaN / Aln / GaN异质结构中的热电子的能量放松
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:表征和改善硅上异质结构中粘附缺陷的边界表面的方法包括:将异质原子插入异质结构中,并通过深度剖析过程检测是否为边界表面累积
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
机译:具有Algan / GAN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体基质
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