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室温下低探测极限TiO2薄膜氢气传感器的制备及性能研究

摘要

随着氢气这一清洁能源广泛应用,能有效检测氢气、高灵敏度、响应快且廉价的传感器成为工业上的迫切需求.在这项工作中,结合射频磁控溅射和水热方法,合成一种室温(25±5℃)下性能优良的TiO2薄膜氢气传感器,其不但拥有优良的检测灵敏度和稳定性,更重要的是能满足25±5℃下检测氢气的要求,无需额外加热系统,成本低廉.其最低探测极限在室温下低至1ppm,采用1V的电压源做驱动,其电阻变化高达4%,且响应时间短至9s.研究结果表明,射频磁控溅射制备的籽晶层对于Ti02薄膜氢气传感器性能的提高有显著作用,通过预沉积的Ti02籽晶层,一方面可作为FTO导电层与水热生长Ti02层之间的阻挡层,降低通过FTO导电玻璃层传导的漏电流,提高二氧化钛薄膜氢气传感器检测灵敏度;第二方面,作为缓冲层和籽晶层,为下一步水热合成Ti02纳米阵列薄膜层提供了更高密度的籽晶层,有效增加了薄膜Ti02纳米棒阵列的密度;第三方面,将磁控溅射、水热合成两种制备方法相结合,可提高Ti02纳米阵列薄膜层的晶粒取向性。

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