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W含量对掺钨类石墨薄膜微观结构和性能的影响

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采用等离子体增强非平衡磁控溅射系统在不同的W靶电流条件下制备了四种掺钨类石墨薄膜(W-GLC)并通过多种检测手段分析了钨含量对于W-GLC薄膜微观结构及性能的影响.结果表明:随着W靶电流的升高,薄膜的结构趋于疏松,表面粗糙度明显升高,但薄膜的硬度、结合强度、H/E以及H3/E2呈现出先升高后降低的变化规律;薄膜的摩擦系数在W靶电流小于0.9A时并未发生明显的变化,但当W靶电流进一步升高至1.2A时,摩擦系数大幅升高,而薄膜的磨损率随着W靶电流的升高呈现出先降低后升高的变化趋势.当W靶电流为0.6A时制备的W-GLC薄膜摩擦系数为0.02,磨损率仅为3.8×10-18m3/N·m,表现出极为优异的摩擦学性能.

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来源
《2016年全国青年摩擦学学术会议》|2016年|1-5|共5页
会议地点西安
作者
雍青松; 马国政; 王海斗; 何鹏飞;
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作者单位

中国机械工程学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类功能材料;
关键词
类石墨薄膜; 制备工艺; 钨含量; 微观结构; 摩擦学性能;

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