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ZHAO Rui-Peng; 赵睿鹏; XIONG Jie; 熊杰; LIU Xin; 刘鑫; ZHANG Fei; 张飞; ZHAO Xiao-Hui; 赵晓辉; TAO Bo-Wan; 陶伯万;
教育部;
国务院学位委员办公室;
氧化物薄膜; 化学气相沉积法; 钡源含量; 性能评价;
机译:单源MOCVD法在不同基板上制备BSCCO薄膜的性能
机译:氧分压对MOCVD工艺制备的Ce掺杂YBCO薄膜形貌和性能的影响
机译:单源MOCVD在聚结晶YSZ - 基材上的超导YBCO薄膜的制备
机译:使用MOCVD制备的硫化锌:锰磷光体层的AC薄膜电致发光器件的制备和性能。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响
机译:用mOCVD和pE-mOCVD原位沉积YBCO高Tc超导薄膜
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
机译:源极交替MOCVD工艺以沉积氮化钨薄膜作为MOCVD铜互连的阻挡层
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