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加固SRAM单元的抗单粒子效应分析设计

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空间辐射效应,尤其是单粒子翻转(SEU)效应,不仅破坏了数据的正确存储,甚至会导致程序的误操作,对航天设备的正常运行构成极大的威胁.随着大规模集成电路集成度的提高,受空间辐射环境的影响越来越严重,设计中对存储器辐射效应加固的需求也在急剧增加.因此SRAM加固方法的研究具有重要的意义和应用价值.该文介绍了该领域的研究背景和国内外的研究现状,对传统存储单元的数据存储原理和SEU翻转机理进行了分析,总结了常用的TMR、HIT、DICE和10T存储单元加固方法,分析了几种典型的设计加固单元的抗SEU机理,并基于DICE没计了一款SRAM单元,对SRAM加固设计具有重要在指导意义.

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来源
《2013四川省电子学术年会》|2013年|40-43|共4页
会议地点成都
作者
ZHOU Heng; 周恒;
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作者单位

四川省电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类设计;
关键词
集成电路; 锁存结构存储单元; 单粒子翻转; DICE存储单元; 加固设计;

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