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衬底温度对射频磁控溅射沉积IMO薄膜性能的影响

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采用射频磁控溅射法在超白玻璃衬底上制备掺钼的氧化铟(In203:Mo,IMO)薄膜.衬底温度升高,结晶程度变大.160℃制备的IMO薄膜的载流子浓度达最高值4.12×1020cm3,电阻率达最低值4.5×10-4Ωcm.衬底温度升高,IMO薄膜迁移率增大,最高达55.2cm2V-1s-1,功函数从4.96eV增大到5.17eV.因此,采用低温工艺能制备出较好光学和电学性能的IMO薄膜,同时可以改变衬底温度调节薄膜的功函数满足不同光电器件的需求.

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来源
《第13届中国光伏大会》|2013年|299-305|共7页
会议地点北京
作者
王革; 赵雷术; 刁宏伟; 陈静伟; 闫保军; 陈东坡; 王文静;
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作者单位

中国可再生能源学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.055;
关键词
掺钼氧化铟薄膜; 射频磁控溅射沉积工艺; 温度效应; 物理性能;

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