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4H-Si1-yCy合金的生长及特性

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本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电化学腐蚀测电容-电压(eCV-profile)以及俄歇电了能谱(AES)等方法对所得的样晶进行了表征测量。XRD衍射谱仅显示单一的特征衍射峰(2 θ约为28.5°),表明得到的合金薄膜晶体取向单一,其晶体类型通过计算分析为4H型；粗略估算,合金薄膜中C含量约为3.7%；SEM结果显示6H-SiC外延层上生长的Sil-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀；利用电化学腐蚀电容电压(ECV)方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流了浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。

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来源
《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2008年|910-913|共4页
会议地点广州
作者

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作者单位

中国电子学会;

广州市科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;TN304.26;
关键词
化学气相淀积; 4H-Si1-yCy合金; 同质外延生长; 电化学腐蚀电容电压; 载流了浓度; n型导电;

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