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区熔法硅单晶生长的电磁场仿真计算

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悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅单晶生长进行数值模拟。本文考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔硅单晶生长系统的组成,通过电磁场基本方程的推导建立,电磁场模型。利用软件进行了计算机建模,对模型的网格划分充分考虑了计算的关键部位,最终通过边界条件和载荷的选取完善了电磁场方程,最终通过计算机仿真计算得出电磁场的模拟结果。

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来源
《第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2008年|933-936|共4页
会议地点广州
作者
庞炳远; 闫萍; 索开南; 张殿朝;
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作者单位

中国电子学会;

广州市科协;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12;TN304.054.3;
关键词
区熔法; 硅单晶生长; 数值模拟; 电磁场模型; 有限元; 计算机仿真;

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