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HCl气腐在硅外延工艺中的应用研究

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介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ωcm，厚度大于60μm。该工艺技术已经应用到硅外延片生产中，结果表明：外延片能够满足先进器件制作的需要。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|518-520|共3页
会议地点重庆
作者
高涛; 谭卫东; 马利行;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.12:TN304.054.44;
关键词
硅材料; 制造工艺; 汽相外延; 腐蚀机理;

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