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SiGe HBT基极串联电阻的提取

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根据Y参数分析的特点，通过对共发射极交流小信号等效电路进行合理的简化，同时考虑到发射极串联电阻的影响，提出了一种新的SiGe HBT基极串联电阻的提取方法。采用这种方法，利用SiGe HBT交流小信号参数的器件模拟结果和实测数据，提取了包括基极串联电阻在内的小信号等效电路模型参数，并据比研究了连接基区横向宽度对基极串联电阻的影响，该方法的有效性也从中得到了验证。

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来源
《第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2007年|696-700|共5页
会议地点重庆
作者
付军; 李高庆;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3:TN304.07;
关键词
锗硅异质结双极晶体管; 参数提取; 电学性能; 数值分析;

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