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磁控溅射Cu薄膜表面形貌与表面粗糙度研究

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用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(ARM)研究了沉积态和经不同温度退火后Cu薄膜的表面形貌以及表面粗糙度.实验结果表明,在单晶硅表面通过磁控溅射制备的Cu薄膜平均晶粒尺寸小于200 nm.低温退火时,Cu薄膜的晶粒大小与表面粗糙度变化不大,当退火温度达到400℃时Cu薄膜内晶粒明显长大并出现新相,同时表面粗糙度迅速升高.

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来源
《第十三届中国体视学与图像分析学术会议》|2013年|280-283|共4页
会议地点太原
作者
HU Jiazhi; 胡佳智; CHEN Leng; 陈冷;
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作者单位

中国体视学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类真空镀与气相镀法;
关键词
铜薄膜; 磁控溅射; 表面形貌; 表面粗糙度;

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