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首页> 外文会议>18th Symposium on Microelectronics Technology and Devices; 16th Symposium on Integrated Circuits and System Design; Sep 8-11, 2003; Sao Paulo, Brazil >POROUS SILICON PROCESSING FOR ENHANCING THIN SILICON MEMBRANES FABRICATION
【24h】

POROUS SILICON PROCESSING FOR ENHANCING THIN SILICON MEMBRANES FABRICATION

机译：多孔硅处理，用于增强薄硅膜的制造

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Recent works (1, 2) show the possibility of silicon (Si) micromachining using processes combination that applies porous silicon (PS) as sacrificial layers previously masked by hydrogen ion implantation (H~+ I.I.) and rapid thermal annealing (RTA). With this new technology, it is possible to fabricate Si membranes with thickness of less than one micron. This work presents the result obtained by means of conventional thermal annealing (CTA) processes included after RTA, to control the thickness of Si with H~+.I.I., as desired. As a result of CTA processes implementation, Si membranes with H~+ .I.I. layers from 1 to 4 microns of thickness were obtained, using adequate implantation dose.
机译：最近的工作（1、2）显示了使用工艺组合进行硅（Si）微加工的可能性，该工艺组合将多孔硅（PS）作为牺牲层，先前通过氢离子注入（H〜+ I.I.）和快速热退火（RTA）掩盖了牺牲层。利用这种新技术，可以制造厚度小于一微米的硅膜。这项工作介绍了通过RTA之后包括的常规热退火（CTA）工艺获得的结果，以便根据需要用H〜+ .I.I。控制Si的厚度。由于采用了CTA工艺，因此具有H〜+ .I.I。的Si膜成为可能。使用适当的注入剂量，获得厚度为1-4微米的层。

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