Department of Electrical Politeknik Negeri Bali Badung 80364, Indonesiac;
Electric Potential; Gauss Doping Profile; p-n Diode;
机译:阻抗分析:一种确定非理想半导体p-n二极管掺杂浓度和内在电势的强大方法
机译:用于P-N结二极管应用的化学喷雾沉积Cu掺杂Nio薄膜的结构,光学和电气研究
机译:RTA对掺Pt的P-N结二极管的电学特性的影响
机译:高斯掺杂轮廓对P-N二极管电位的影响
机译:理论上,半导体的P-N结和掺杂轮廓存在尺寸,可溶性和唯一性方面的反问题。
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:具有空穴和电子掺杂的镧锰氧化物的'p-n'二极管
机译:具有指数掺杂梯度的扩散p-n二极管的结电容作为电压的函数