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【24h】

Use a Theoretical Model to Investigate Reactive Sputtering of AlN Thin Films

机译:使用理论模型研究AlN薄膜的反应溅射

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摘要

In order to understand the physical and chemical processes of aluminium nitride thin films preparated by reactive sputtering, a reactive sputtering model model was developed. The mode of controlled cathode volatge at constant flow rates are investigated for the purpose of controlling the stoichimetry of AlN films. The mode is shown to provide a means for stable operation for any degree of target coverage.
机译:为了了解反应溅射制备氮化铝薄膜的物理和化学过程,建立了反应溅射模型模型。为了控制AlN薄膜的化学计量,研究了恒定流速下受控阴极挥发的模式。该模式显示为任何程度的目标覆盖范围提供了稳定运行的手段。

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