Prospective Technology for System-on-a-Chip: N_2 implant followed by VHP O_2 re-oxidation

著录项

• 来源
  《Conference on Challenges in Process Integration and Device Technology 18-19 September 2000 Santa Clara, USA》|2000年|p.271-280|共10页
• 会议地点 Santa Clara CA(US)
• 作者

  T.Y.Luo; H.n.Al-Shareef; G.A.Brown; V.H.C.Watt; A.Karamcheti; M.D.Jackson; H.R.Huff; B.Evans; C.H.Lee; H.F.Luan; D.L.Kwong;

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• 作者单位

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• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 无线电电子学、电信技术;
• 关键词

  System-on-a-Chip(SOC); N_2 ion implant (N_2 I/I), vertical high pressure (VHP) re-oxidation.;

  机译：片上系统（SOC）； N_2离子注入（N_2 I / I），垂直高压（VHP）再次氧化。;