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首页> 外文会议>Conference on Challenges in Process Integration and Device Technology 18-19 September 2000 Santa Clara, USA >Automated OPC optimization using in-line CD-SEM
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Automated OPC optimization using in-line CD-SEM

机译：使用在线CD-SEM自动进行OPC优化

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Optical Proximity Correction (OPC) through assisted features (serifs, scattering bars, etc.) in masks is one of the resolution enhancement techniques in advanced optical lithography. When printing sub-wavelength features on a wafer. OPC becomes necessary. Since OPC is process dependent, it is no easy task to find optimized OPC level for specific lithography process with either rule based or model based OPC application. To benefit from OPC in aggressive gate geometry, the level of correction (sizes and relative positions of assisted features) needs to be optimzied. We propose a practical method in OPC optimization using a CD-SEM. During the early process development phase, a test mask can be generated. with various levels of OPC correction on a typical feature to be monitored during and after process development.
机译：通过掩模中的辅助特征（分离线，散射条等）进行的光学接近度校正（OPC）是高级光刻技术中的分辨率增强技术之一。在晶片上打印亚波长特征时。 OPC变得必要。由于OPC依赖于工艺，因此要使用基于规则的OPC应用程序或基于模型的OPC应用程序来找到针对特定光刻工艺的优化OPC级别并非易事。为了从OPC的主动浇口几何形状中受益，需要优化校正级别（辅助特征的大小和相对位置）。我们提出了一种使用CD-SEM进行OPC优化的实用方法。在早期工艺开发阶段，可以生成测试掩模。在过程开发期间和之后要监视的典型功能上进行各种级别的OPC校正。

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