• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文会议>Conference on Emerging Lithographic Technologies VI Pt.1, Mar 5-7, 2002, Santa Clara, USA >Pattern Printability for Off-axis Incident Light in EUV Lithography
【24h】

Pattern Printability for Off-axis Incident Light in EUV Lithography

机译：EUV光刻中离轴入射光的图案可印刷性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Off-axis incident light produces shadowing and an imbalance in the diffracted light. Shadowing causes a change in the critical dimension (CD) and a shift in the position of patterns due to the swing + bulk effect of the absorber and buffer layers. In addition, the imbalance in the diffracted light influences the optical proximity-effect correction (OPC) of actual patterns with a k1 below 0.6. In this study, the main factors influencing OPC were investigated. These include asymmetric aberrations and optical proximity effects (OPE) in line patterns. OPC was then applied to a T-shaped pattern. It is found that the mask error factor (MEF) in low-contrast regions of a layout is an important consideration in OPC.
机译：离轴入射光会产生阴影，并在衍射光中产生不平衡。由于吸收层和缓冲层的摆动和体积效应，阴影会导致临界尺寸（CD）的变化和图案位置的变化。此外，衍射光的不平衡会影响k1小于0.6的实际图案的光学邻近效应校正（OPC）。在这项研究中，调查了影响OPC的主要因素。这些包括线条图案中的不对称像差和光学邻近效应（OPE）。然后将OPC应用于T形图案。发现在布局的低对比度区域中的掩模误差因子（MEF）是OPC中的重要考虑因素。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号