Hiratsuka Research Development Center, EUVA -Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association, 1200 Manda, Hiratsuka, Kanagawa, 254-8567, Japan;
collector mirror damage; xenon ion; fast ion; laser-produced plasma; EUV light source;
机译:EUV光源激光产生等离子体中植入射线膜保护膜的表面形态变化
机译:在单次损伤阈值下方长期自由电子激光曝光下EUV镜辐射损伤阻力的实验研究
机译:高功率LPP-EUV源具有长集电极镜终型的半导体高卷制造
机译:碎片和辐射引起的对EUV纳米光刻源收集器镜光学性能的损害影响
机译:由温度和浓度梯度驱动的吉布斯偏析合金:EUV光刻中潜在的掠射收集器光学器件。
机译:在单次损伤阈值以下的长期自由电子激光照射下EUV镜辐射损伤抵抗性的实验研究
机译:在单次损伤阈值下方长期自由电子激光曝光下EUV镜辐射损伤抗性的实验研究
机译:关键参数影响EUV引起的Ru型多层反射镜损伤