A Novel Iridium Precursor for MOCVD

机译：一种用于MOCVD的新型铱前体

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A novel liquid iridium precursor (1,3-cyclohexadiene)(ethylcyclopentadienyl)iridium, Ir(EtCp)(CHD), was synthesized and its physical properties were examined. Ir(EtCp)(CHD) exhibited enough vapor pressure (0.1 Torr/75℃), excellent volatility and adequate decomposition temperature. Characteristics of the Ir films deposited using Ir(EtCp)(CHD) and the conventional Ir precursor (1,5-cyclooctadiene)(ethylcyclopentadienyl)iridium, Ir(EtCp)(COD), by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method were compared. Ir films grown using Ir(EtCp)(CHD) showed shorter incubation time and higher nucleation density than those of films using Ir(EtCp)(COD).

机译：合成了一种新型的液态铱前体（1,3-环己二烯）（乙基环戊二烯基）铱Ir（EtCp）（CHD），并对其物理性质进行了研究。 Ir（EtCp）（CHD）具有足够的蒸气压（0.1 Torr / 75℃），极好的挥发性和足够的分解温度。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法使用Ir（EtCp）（CHD）和常规Ir前体（1,5-环辛二烯）（乙基环戊二烯基）铱Ir（EtCp）（COD）沉积的Ir膜的特性比较。与使用Ir（EtCp）（COD）的薄膜相比，使用Ir（EtCp）（CHD）的Ir薄膜具有更短的孵育时间和更高的成核密度。

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来源
《Ferroelectric Thin Films XII》|2003年|P.145-150|共6页
会议地点 Boston MA(US);Boston MA(US)
作者
Kazuhisa Kawano; Mayumi Takamori; Tetsu Yamakawa; Soichi Watari; Hironori Fujisawa; Masaru Shimizu; Hirohiko Niu; Noriaki Oshima;
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作者单位

Tokyo Research Laboratory, TOSOH Corporation, Hayakawa 2743-1, Ayase, Kanagawa 252-1123 Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类材料;
关键词

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