Department of Metallurgy and Ceramics Science, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JAPAN;
机译:Cu2Fesns4薄膜中的电气双稳态和内存切换现象:P-N结的作用
机译:使用溅射型电子回旋加速器在低温下通过Si外延制造的p-n结二极管的电学特性
机译:室温以上氧化物p-n结中的温度依赖性输运性质
机译:NIO-ZnO系统高温P-N结的稳定性和电性能
机译:电气应用过渡金属硅化物-耐火氧化物复合材料的加工,稳定性和高温性能
机译:在15 K至350 K的宽范围温度应用中在TCO膜中构图的加热传感器微系统的电气和热性能
机译:扩散法制备的InSb p-n结的电学性质
机译:离子注入砷化镓形成p-n结的电学特性研究