Institute for Physics and Power Engineering (Obninsk, Russia);
机译:Czochralski硅晶体生长过程中不同氩气流量下硅熔体中氧分布的数值模拟
机译:Czochralski硅晶体生长过程中隔热罩形状对熔体界面氧杂质分布影响的数值研究
机译:超导水平磁场作用下Czochralski单晶硅生长过程中坩埚旋转和晶体旋转对固液界面氧分布的影响
机译:流体动力学和越来越多的参数对Czochralski硅晶体生长过程的氧气分布影响
机译:固体颗粒为单晶硅的连续Czochralski生长提供了营养。
机译:脉冲紫外激光改性TiO2纳米管的深入研究:几何形状结晶度和加工参数的影响
机译:Czochralski技术生长磁性硅单晶过程中零高斯平面的位置对熔体界面氧浓度的影响