【24h】

HEAT TRANSFER MODELING AND VACANCY MICRODEFECT FORMATION IN SILICON SINGLE CRYSTALS

机译:硅单晶的传热模型和空位微缺陷形成

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摘要

The analytical formulation of two-dimensional temperature field in growing crystal is offered. For this case the influencies of axial temperature gradients at L/S interface and its radial inhomogeneity during v-i recombination and vacancy microdefect formation are investigated parameterically. The comparison of calculated v-i boundary and experimental lifetime map is discussed, too.
机译:提供了生长晶体中二维温度场的解析公式。对于这种情况,对L / S界面处轴向温度梯度的影响及其在v-i重组和空位微缺陷形成过程中的径向不均匀性进行了参数研究。还讨论了计算出的v-i边界与实验寿命图的比较。

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