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Failure Analysis of Nitride-Trapping Memory Cell Failures

机译:氮化物陷阱存储单元故障的故障分析

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摘要

The 2-bit/cell nitride-trapping device (NROM/Nbit) is anrnimportant type of NVM (Non-Volatile Memory). ThernNROM/Nbit is a potential candidate for replacing FG-typernNVM devices below the 45nm node. In this study, electricalrnand physical failure analyses (PFA) were used. The failurernmechanisms and root causes of failure for the test vehicle, arn130nm NBit device, were determined. Because cellrndimensions and spacing requirements for high-density memoryrnare quite aggressive, these observations help to optimizernprocess and improve yield.
机译:2位/单元氮化物捕获设备(NROM / Nbit)是NVM的重要类型(非易失性存储器)。 NROM / Nbit是替换45nm节点以下的FG型rnNVM设备的潜在候选者。在这项研究中,使用了电气和物理故障分析(PFA)。确定了测试车辆arn130nm NBit装置的故障机理和故障的根本原因。由于高密度存储的单元尺寸和间距要求非常苛刻,因此这些观察结果有助于优化工艺并提高产量。

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