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High efficiency multi-junction solar cells using amorphous silicon and amorphous silicon-germanium alloys

机译：使用非晶硅和非晶硅锗合金的高效多结太阳能电池

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Using a novel cell design the authors have achieved a 13.7% conversion efficiency with amorphous silicon and amorphous silicon-germanium alloys in a three-cell stacked-junction configuration. 13.0% conversion efficiency was achieved in the tandem configuration. The efficiency value was measured using a triple-source solar simulator adjusted for global AM1.5 test conditions. This device has a structure of stainless steel/textured silver/zinc oxidei/sub 1/pi/sub 2/pi/sub 3/p/ITO/grid. The authors used an amorphous silicon-germanium alloy with the new design in the i/sub 1/ layer, and amorphous silicon alloys in the i/sub 2/ and i/sub 3/ layers. The J-V characteristic shows J/sub sc/=7.66 mA/cm/sup 2/, V/sub oc/=2.55 V, and fill factor= 0.70 with an active area of 0.25 xcm/sup 2/. The quantum efficiency of this device is 60% collection at 400 nm, 93% at the peak, 55% at 800 nm, and 21% at 850 nm. The total photocurrent density obtained by integrating the quantum efficiency envelope with the global AM1.5 spectrum is 23.5 mA/cm/sup 2/.
机译：使用新颖的电池设计，作者在三电池堆叠结结构中使用非晶硅和非晶硅锗合金实现了13.7％的转换效率。在串联配置中实现了13.0％的转换效率。使用针对全球AM1.5测试条件调整的三源太阳能模拟器测量效率值。该设备具有不锈钢/纹理化银/氧化锌/ ni / sub 1 / p / ni / sub 2 / p / ni / sub 3 / p / ITO /网格的结构。作者在i / sub 1 /层中使用了具有新设计的非晶硅锗合金，在i / sub 2 /和i / sub 3 /层中使用了非晶硅合金。 J-V特性显示J / sub sc / = 7.66 mA / cm / sup 2 /，V / sub oc / = 2.55 V，填充系数= 0.70，有效面积为0.25 xcm / sup 2 /。该器件的量子效率在400 nm处为60％，在峰值处为93％，在800 nm处为55％，在850 nm处为21％。通过将量子效率包络线与全局AM1.5光谱积分而获得的总光电流密度为23.5 mA / cm / sup 2 /。

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