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【24h】

INTERNAL OPTO-ELECTRIC PROPERTIES OF p-i-n a-Si:H SOLAR CELL ON GROOVED TCO TEXTURE

机译：沟槽TCO表面上p-i-n a-Si：H太阳能电池的内部光电性能

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Effects of textured TCO layer on a-Si:H solar cell electric properties are investigated by computer modelling of thermal equilibrium profiles of charge carriers, electric field and potential distribution. 2D analysis of p-i-n a-Si:H cell on TCO layer, simulated by V-grooved morphology, was performed using the commercial program MEDICI, for which input data were modified in order to account for continuous distribution of states in the gap of a-Si:H.Results of calculations show strongly increased trapped hole concentration at the p-i interface around the peaks of the illuminated side of V-shaped grooves. At these locations, the built-in electric field is lowered so that the collection of light-generated carriers in these regions is reduced.The paper also demonstrates the dependence of the light generation profile on the wavelength of incident light and on V-groove tilt angle.
机译：通过计算机模拟电荷载流子的热平衡曲线，电场和电势分布，研究了织构化的TCO层对a-Si：H太阳能电池电性能的影响。使用商业程序MEDICI，通过V槽形态对TCO层上的pin a-Si：H单元进行了二维分析，通过V槽形貌进行了模拟，对其输入数据进行了修改，以解决a-间隙中状态的连续分布Si：H。 计算结果表明，在V形凹槽的受光面峰值附近的p-i界面处，陷孔的浓度大大增加。在这些位置处，降低了内置电场，从而减少了这些区域中光生载流子的收集。 本文还论证了光产生轮廓对入射光的波长和V形槽倾斜角的依赖性。

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