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用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改善的a-Si:H吸收器层

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摘要

为了改善非晶硅吸收器层处于单一构造或串联构造的薄膜太阳能电池，通过在RF-SiH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-01-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/20 申请公布日:20130724 申请日:20110902

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-08-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/20 申请日:20110902

实质审查的生效
2013-08-07

著录事项变更 IPC(主分类):H01L31/20 变更前: 变更后: 申请日:20110902

著录事项变更
2013-07-24

公开

公开

1. 用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改善的a-Si:H吸收器层 [P] . 中国专利： CN103222071A . 2013-07-24
2. 用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si:H吸收层 [P] . 中国专利： CN103238219A . 2013-08-07
3. Improved a-Si: H absorber layer for a-Si single-junction and multi-junction thin-film silicon solar cells [P] . 日本专利： JP2013536991A . 2013-09-26

机译：用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si：H吸收层
4. A-SI:H ABSORBER LAYER FOR A-SI SINGLE- AND MULTIJUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELL [P] . 美国专利： US2014102522A1 . 2014-04-17

机译： A-SI单和多结薄膜硅太阳能电池的A-SI：H吸收层
5. IMPROVED A-SI:H ABSORBER LAYER FOR A-SI SINGLE- AND MULTIJUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELLS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2612367A1 . 2013-07-10

机译：改进的A-SI单和多结薄膜硅太阳能电池A-SI：H吸收层