首页> 中国专利> 用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si:H吸收层

用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si:H吸收层

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：a)沉积正掺杂的硅层(3)，b1)以第一沉积速率沉积第一本征a-Si:H层(21)，b2)以第二沉积速率沉积第二本征a-Si:H层(22)，以及c)沉积负掺杂的硅层(5)，其中，所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率。制造的薄膜太阳能电池的特征是：提高了初始效率和稳定效率，同时将总体沉积速率（即便是沉积两个不同的本征层(21、22)的总体沉积速率）保持在合理的和经济的水平。

著录项

公开/公告号CN103238219A

专利类型发明专利
公开/公告日2013-08-07

原文格式PDF
申请/专利权人东电电子太阳能股份公司;
展开▼

申请/专利号CN201180055325.4
发明设计人玛丽安·费乔鲁-莫拉留;波格丹·梅雷乌;
展开▼

申请日2011-11-14
分类号H01L31/0376;H01L31/20;
代理机构北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司;
代理人孙皓晨
地址瑞士特吕巴赫
入库时间 2024-02-19 19:37:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-31

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0376 申请公布日:20130807 申请日:20111114

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-12-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0376 申请日:20111114

实质审查的生效
2013-08-07

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si:H吸收层 [P] . 中国专利： CN103238219A . 2013-08-07
2. 用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改善的a-Si:H吸收器层 [P] . 中国专利： CN103222071A . 2013-07-24
3. Improved a-Si: H absorber layer for a-Si single-junction and multi-junction thin-film silicon solar cells [P] . 日本专利： JP2013536991A . 2013-09-26

机译：用于a-Si单结和多结薄膜硅太阳能电池的改进的a-Si：H吸收层
4. IMPROVED A-SI:H ABSORBER LAYER FOR A-SI SINGLE- AND MULTIJUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELLS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2612367A1 . 2013-07-10

机译：改进的A-SI单和多结薄膜硅太阳能电池A-SI：H吸收层
5. IMPROVED A-SI:H ABSORBER LAYER FOR A-SI SINGLE- AND MULTIJUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELLS [P] . 世界知识产权组织专利： WO2012028717A1 . 2012-03-08

机译：改进的A-SI单和多结薄膜硅太阳能电池A-SI：H吸收层