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IMPROVED A-SI:H ABSORBER LAYER FOR A-SI SINGLE- AND MULTIJUNCTION THIN FILM SILICON SOLAR CELLS

机译:改进的A-SI单和多结薄膜硅太阳能电池A-SI:H吸收层

摘要

In order to improve a thin film solar cell with an amorphous silicon absorber layer being in single or in tandem configuration, the addressed absorber layer of a-Si:H is manufactured by plasma enhanced vapor deposition in an RF-SiH4 plasma, wherein the deposition is performed at at least one of at the process pressure below 0.5 mbar and of at an RF power density below 370 W/14000 cm2.
机译:为了改进具有单层或串联结构的非晶硅吸收层的薄膜太阳能电池,通过在RF-SiH4等离子体中进行等离子体增强气相沉积来制造所提及的a-Si:H吸收层:至少在低于0.5 mbar的工艺压力和低于370 W / 14000 cm2的RF功率密度下进行。

著录项

  • 公开/公告号EP2612367A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OERLIKON SOLAR AG TRÜBBACH;

    申请/专利号EP20110749859

  • 发明设计人 FECIORU-MORARIU MARIAN;

    申请日2011-09-02

  • 分类号H01L31/0376;H01L31/0392;H01L31/20;H01L31/075;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 16:29:22

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