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Gate-oxide reliability and failure-rate reduction of industrial SiC MOSFETs

机译：工业SiC MOSFET的栅极氧化物可靠性和故障率降低

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We discuss various gate-oxide reliability aspects of silicon carbide (SiC) MOSFETs and highlight similarities and differences of SiC and silicon (Si) technology. Basic concepts of electrical gate-oxide defect screening are introduced and failure probability and the failure-rate after screening is studied based on Weibull statistics. To be able to quantify very low extrinsic failure probabilities (e.g. after electrical screening), we present a new kind of test procedure which we call the "marathon stress test". The results of this test demonstrate that excellent gate-oxide reliability of commercially available SiC trench MOSFETs can be achieved after applying a sufficiently precise electrical screening.
机译：我们将讨论碳化硅（SiC）MOSFET的各种栅极氧化物可靠性方面，并重点介绍SiC和硅（Si）技术的异同。介绍了电子栅氧化物缺陷筛选的基本概念，并基于威布尔统计量研究了失效概率和筛选后的失效率。为了能够量化非常低的外部失效概率（例如，经过电气屏蔽后），我们提出了一种新的测试程序，我们将其称为“马拉松压力测试”。该测试的结果表明，在施加足够精确的电屏蔽之后，可以实现市售SiC沟槽MOSFET的出色的栅极氧化物可靠性。

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