三フッ化塩素ガスを用いた炭化珪素CVD装置高速クリーニング法

机译：具有三氟化物气体快速清洁方法的碳化硅CVD装置

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【序論】炭化珪素(SiC)の化学気相堆積(CVD)時には、Fig. 1に示すように試料台(サセプタ)にもSiC膜が堆積するため、その剥離による微粒子発生などが問題となる。そこで、堆積膜を除去するためにクリーニング技術[1-4]が開発されている。

机译：[介绍]在碳化硅（SiC）的化学气相沉积（CVD）的情况下，如图2所示。如图1所示，由于也在样品表（基座）中也沉积SiC膜，因此由于剥离而产生的细颗粒变为一个问题。因此，已经开发了清洁技术[1-4]以除去沉积的薄膜。

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来源
《》||13.118-13.118|共1页
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作者
林優也; 間明田巧; 羽深等; 石黒暁夫; 石井成明; 醍醐佳明; 伊藤英樹; 水島一郎; 高橋至直;
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