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首页> 外文会议>International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference >PYROELECTRIC IR SENSOR ARRAY USING LEAD-FREE PYROELECTRIC NBT THIN FILM ON EPITAXIAL γ-Al_2O_3/Si(100) SUBSTRATES
【24h】

PYROELECTRIC IR SENSOR ARRAY USING LEAD-FREE PYROELECTRIC NBT THIN FILM ON EPITAXIAL γ-Al_2O_3/Si(100) SUBSTRATES

机译：热电红外传感器阵列在外延γ-AL_2O_3 / SI（100）基板上使用无铅热电NBT薄膜

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In this work, we fabricated lead-free pyroelectric infrared (IR) sensor array on epitaxial γ-Al_2O_3/Si(100) substrates with signal processing circuit using pyroelectric (Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3(NBT) thin film deposited by chemical solution deposition (CSD), and we also investigated feasibility of NBT thin film in Si processes. NBT thin film is a promising lead-free pyroelectric material. However, it is difficult to introduce NBT into LSI process because NBT contains sodium which degrades characteristics of Si devices. The measured pyroelectric coefficient of NBT thin film is 0.8×10~(-8) C/cm~2K. This result indicates NBT thin film is acceptable for a pyroelectric IR detector. Furthermore, threshold voltage shifts are not observed after NBT formation process using SiN barrier layer. It suggests that NBT film has the possibility of being integrated with Si devices.
机译：在这项工作中，我们在外延γ-AL_2O_3 / SI（100）基板上使用热电（NA_（0.5）Bi_（0.5））TiO_3（NBT）薄膜（NBT）薄膜，在外延γ-AL_2O_3 / SI（100）基板上制造无铅热电红外（100）基板上通过化学溶液沉积（CSD），我们还研究了Si过程中NBT薄膜的可行性。 NBT薄膜是一种有前途的无铅热电材料。但是，由于NBT含有钠，难以将NBT引入LSI过程中，这含有降低Si器件的特性。测量的热电系数的NBT薄膜为0.8×10〜（-8）C / cm〜2K。该结果表明了热电红外探测器可接受的NBT薄膜。此外，使用SIN阻挡层在NBT形成过程之后未观察到阈值电压移位。它表明，NBT薄膜具有与SI器件集成的可能性。

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