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【24h】

Efficient luminescence from GaAs nanocrystals in SiO_2 matrices

机译:在SiO_2矩阵中的GaAs纳米晶体中的高效发光

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摘要

We have fabricated zincblende GaAs nanocrystals by means of Ga~+ and As~+ coimplantation into SiO_2 matrices. A broad photoluminescence band is observed in the visible spectral region. Under selective excitation at energies within the visible luminescence band, GaAs-related phonon structures are observed at low temperatures. The photoluminescence mechanism in GaAs/SiO_2 nanocomposites is discussed.
机译:我们通过Ga〜+和〜+ CoImplatoration制造了Zincblende GaAs纳米晶体中的SiO_2矩阵。在可见光谱区域中观察到宽光致发光带。在可见光带内的能量的选择性激发下,在低温下观察到与GaAs相关的声子结构。讨论了GaAs / SiO_2纳米复合材料中的光致发光机制。

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