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Interface engineering in type-II CdSe/BeTe quantum dots

机译：II型CDSE / BETE量子点中的接口工程

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Stressor-controlled epitaxy has been proposed as an efficient method of CdSe quantum dot fabrication. The studies are performed on a type-II CdSe/BeTe system, where CdTe and BeSe interface bonds play a role of intrinsic stressors. Predeposition of ～0.2 ML CdTe stressor (Δa/a= +15%), corresponding to a local maximum of RHEED specular spot intensity, appears to induce variation of stress field across the BeTe surface, caused by alternating regions with CdTe and BeSe bonds. It results in preferential nucleation of regularly arranged CdSe QDs at the BeSe sites with the following vertical chess-ordering in the CdSe/BeTe multilayers. The structures demonstrate bright up to RT PL in the 1.9-2.1 eV range and strong in-plane PL anisotropy related to non-equivalent bottom and top CdSe QD interfaces having estimated from x-ray diffraction total concentrations of CdTe and BeSe bonds of 0.3-0.4 and 0.6-0.7 ML, respectively.
机译：已经提出了应力控制的外延作为CDSE量子点制造的有效方法。该研究是对II型CDSE / BETE系统进行的，其中CDTE和BESE界面键在内在压力源起作用。对应于局部最大值的〜0.2mL CdTe应力（ΔA/ a = + 15％）的预热似乎在具有CDTE和BESE键的交替区域引起的纤维表面上引起压力场的变化。它导致在CDSE / BETE多层中具有以下垂直棋子的BESE位点定期排列的CDSE QDS的优先成核。该结构在1.9-2.1 EV范围内明亮至RT PL，与X射线衍射总浓度的CDTE和BESE键估计的非等效底部和顶部CDSE QD接口相关的平面强度平均PL各向异性。分别为0.4和0.6-0.7 mL。

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