• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Interface effects in type-II CdSe/BeTe quantum dots
【24h】

Interface effects in type-II CdSe/BeTe quantum dots

机译：II型CdSe / BeTe量子点中的界面效应

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We report on optical and structural studies of the interface symmetry in CdSe/BeTe multiple-layer structures containing self-assembled quantum dots. Temperature and decay behavior of the broad photoluminescence (PL) band is consistent with the type-II transitions involving deeply localized electron states. Large linear in-plane polarization of the PL (up to 80%) is observed, implying the C-2v (or lower) symmetry of the individual places of the electron localization. [References: 8]
机译：我们报告包含自组装量子点的CdSe / BeTe多层结构中界面对称性的光学和结构研究。宽光致发光（PL）波段的温度和衰减行为与涉及深度局域电子态的II型跃迁一致。观察到PL的大的线性面内极化（高达80％），这暗示了电子定位各个位置的C-2v（或更小）对称性。 [参考：8]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号