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Investigation of Amorphous IGZO TFT Employing Ti/Cu Source/Drain and SiNx Passivation

机译：采用Ti / Cu源/排水和Sinx钝化非晶IGZO TFT的研究

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We successfully fabricated a-IGZO TFTs employing a Ti/Cu source/drain (S/D) and SiNx passivation in order to reduce the line-resistance, as compared to most oxide TFTs that use Mo (or TCO) and SiO_2 for their S/D and passivation, respectively. Although passivated with SiNx, the TFT exhibits good transfer characteristics without a negative shift. However, the TFT employing a Mo S/D exhibited conductor-like characteristics when passivated with SiNx. Our investigation suggests that the IGZO oxygen vacancies found in the Ti/Cu S/D are controlled, resulting in low concentrations, and so prevent the SiNx-passivated TFT from having a negative shift.
机译：我们成功地制造了使用Ti / Cu源/漏极（S / D）和Sinx钝化的A-IGZO TFT，以减少线抵抗，与使用Mo（或TCO）和SiO_2的大多数氧化物TFT相比/ d分别和钝化。虽然用SINX钝化，但TFT表现出良好的转移特性而没有负换档。然而，在钝化SINX时，采用MO S / D的TFT表现出类似的导体特性。我们的调查表明，控制在Ti / Cu S / D中的IGZO氧空位，导致低浓度，因此防止SINX钝化的TFT具有负换档。

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